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                        產(chǎn)品特點(diǎn)：
                        
									
                        適用于A(yíng)L2 O 3 、AIN材料
                        耐高溫、高導熱、氣密性好、高強度、低膨脹系數、優(yōu)良的高頻特性、高可靠性
                        高至110GHz 射頻設計、測試能力，可靠性設計
                        應用：
                         SIP、光通信、MEMS芯片、FPGA封裝、CMOS圖形傳感器封裝、車(chē)載、宇航等高可靠性芯片封裝、毫米波HTCC基板
                        
									
								
                        
							
                        
							
                        
								
                        
									
                        
										
                        • 主要參數
                        
									
                        
									
                        
										
                        Category
                        類(lèi)別
                        Item
                        項目
                        Mark
                        標記
                        Standard value
                        標準設計值
                        (mm)
                        Public Errand
                        公差
                        (mm)
                        Special values
                        特殊設計值
                        (mm)
                        Public Erran
                         公差
                        (mm)
                        結構長(cháng)度X5-75±1%2-100±0.5%
                        寬度Y5-75±1%2-100±0.5%
                        瓷體厚度Z0.8-5.5±3%0.2-0.8±0.03
                        單層厚度（1）A0.1/0.15/0.2/0.25/0.3±0.02按客戶(hù)定義±0.01
                        開(kāi)腔距離瓷體外邊緣距離B≥3*ФC///
                        互聯(lián)孔金屬化實(shí)心孔直徑ФC
                        		≥0.15
                                      
                        		±0.015≥0.1
                                      
                        		±0.01
                        孔與孔的中心距D≥3*ФC/≥2*ФC/
                        孔至瓷體邊緣距離E≥3*ФC///
                        孔帽直徑ФF≥ФC+0.05/≥ФC+0.02/
                        金屬化半孔直徑ФG0.4-0.6/0.3-4.0/
                        金屬化半孔中心距I≥3*ФG///
                        上下層孔錯位距離J/±0.02/±0.015
                        金屬化金屬化線(xiàn)寬K≥0.1
                                    
                        		±0.02≥0.05±0.015
                        金屬化線(xiàn)間距L≥0.1±0.02≥0.05±0.015
                        金屬化線(xiàn)條至瓷體外邊緣距離M≥0.2/0/
                        金屬化線(xiàn)條至瓷體內邊緣距離O≥0.2/0/
                        內接地層至瓷體開(kāi)腔邊緣距離P≥0.1/0/
                        外接地層至瓷體外邊緣距離R≥0.1/0/
                        金屬化柵格線(xiàn)寬S0.2/0/
                        柵格線(xiàn)距T0.4/0/
                        孔柵間距U≥0.25/≥0.2/
                        
										
									
                        
								
                        
							
							
                        
							
                        
								
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